| 发明名称 | 半导体集成电路装置及其设计装置与程序 | ||
| 摘要 | 输入在衬底表面具有分别供给形成有源元件的阱的电位的抽头、和导电型与阱相反的源极扩散区的单元，将单元的抽头转换成与源极扩散区相同的导电型，作为源极区，自由地将单元的阱电位设定为任意电位。当单元中存在抽头和源极的短路部，并且短路部为导电型与抽头相同的扩散区时，将短路部转换成与源极扩散区相同的导电型，作为源极区。 | ||
| 申请公布号 | CN1832175A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200610058988.2 | 申请日期 | 2006.03.09 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 山本宽 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8234(2006.01);G06F17/50(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;李亚 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，具有第二单元，该第二单元相对于具有：在衬底上形成的阱；供给上述阱的电位的抽头；和形成在上述阱上、与上述阱的导电型相反的有源元件的源极扩散区的第一单元，形成为：将上述抽头的导电型转换成与上述源极扩散区相同的导电型，使上述抽头的导电型与上述源极扩散区的导电型相同。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||