薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种TFT基板，其包括底部基板、形成在底部基板之上的栅极布线、栅极绝缘层、活性层、氧化抑制层、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线包括栅极线和栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层之上。氧化抑制层形成在活性层之上。数据布线包括数据线、源电极和漏电极。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上，由于氧化抑制层的存在，降低了用于开启TFT的开电流(“I_on”)并增大了用于关闭TFT的闭电流(“I_off”)。

主权项

1.一种薄膜晶体管(TFT)基板，其包括：底部基板；栅极布线，形成在所述底部基板之上，所述栅极布线包括沿第一方向延伸的栅极线以及电连接至所述栅极线的栅电极；栅极绝缘层，形成在所述底部基板之上，以覆盖所述栅极布线；活性层，形成在所述栅极绝缘层之上；氧化抑制层，形成在所述活性层之上；数据布线，其包括：数据线，沿与所述第一方向基本垂直的第二方向延伸；源电极，电连接至所述数据线；以及漏电极，与所述源电极分离，所述源电极和所述漏电极设置在所述氧化抑制层之上；保护层，覆盖所述数据布线，所述保护层具有露出部分所述漏电极的接触孔；以及像素电极，形成在所述保护层之上，并通过所述接触孔电连接至所述漏电极。