发明名称 |
一种片上LC无源低通滤波器及其制备方法 |
摘要 |
一种基于氧化多孔硅/多孔硅的片上LC无源低通滤波器及其制备方法,该滤波器含片上微电感、片上MIM电容、片上共面波导传输线和复合衬底,复合衬底由氧化多孔硅薄膜、多孔硅层和低阻硅片组成,多孔硅层夹在氧化多孔硅薄膜和低阻硅片之间,由片上微电感、片上MIM电容和片上共面波导传输线组成的片上LC无源低通滤波电路依附在氧化多孔硅薄膜上,用与CMOS工艺兼容的工艺制作而成,有体积小,易于制造,生产成本低,能与现今的CMOS工艺相兼容,在通带内衬底插入损耗小的优点。 |
申请公布号 |
CN1274055C |
申请公布日期 |
2006.09.06 |
申请号 |
CN200410017235.8 |
申请日期 |
2004.03.26 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
石艳玲;刘赟;王勇;丁艳芳 |
分类号 |
H01P1/20(2006.01);H01P11/00(2006.01) |
主分类号 |
H01P1/20(2006.01) |
代理机构 |
上海德昭知识产权代理有限公司 |
代理人 |
程宗德;石昭 |
主权项 |
1、一种基于氧化多孔硅/多孔硅的片上LC无源低通滤波器,含片上微电感(7)、片上MIM电容(8)、片上共面波导传输线(12),其特征在于,它还含复合衬底(11),复合衬底(11)是由氧化多孔硅薄膜(4)、多孔硅层(5)和低阻硅片(6)组成,多孔硅层(5)夹在氧化多孔硅薄膜(4)和低阻硅片(6)之间,由片上微电感(7)、片上MIM电容(8)和片上共面波导传输线(12)组成的片上LC无源低通滤波电路依附在氧化多孔硅薄膜(4)上。 |
地址 |
200062上海市中山北路3663号 |