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发明名称 Method of fabricating phase change memory device including fine contact point formation process
摘要
申请公布号 KR100617304(B1) 申请公布日期 2006.08.30
申请号 KR20040108976 申请日期 2004.12.20
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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