| 发明名称 | PECVD富含硅的氧化物层以减少EEPROM中的UV充电 | ||
| 摘要 | 在金属化之前，通过PECVD在层间电介质(300)上沉积UV透射减少的富含硅的氧化硅层(500)，因而减小了V<SUB>t</SUB>。实施例包括沉积折射率(R.I.)为1.7至2.0的UV不透明的富含硅的氧化硅层(500)。该富含硅的氧化硅层(SiRO)减小了在制造EEPROM闪存中的UV单元充电问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1823414A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200480019959.4 | 申请日期 | 2004.06.18 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | M·V·努;M·T·拉姆斯贝;T·卡迈勒;P·Y·高 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成晶体管，所述晶体管具有在衬底(30)上的栅极结构，且栅极介电层(33)位于其间；在所述晶体管上形成层间电介质(300)；以及在所述层间电介质(300)的上表面上形成折射率R.I.大于1.6的富含硅的氧化硅层(500)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||