| 发明名称 | 半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 在具有冗余电路的半导体存储器件中，该冗余电路用于处理缺陷存储单元的修复，被不均匀分布的存储单元缺陷能够被有效地修复。该半导体存储器件具有多个存储块，该存储块包括多个段。用于替代段的缺陷数据的冗余存储块被物理地提供给每个存储块。冗余存储块的块地址被逻辑地共同分配给多个存储块。 | ||
| 申请公布号 | CN1823392A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200480020476.6 | 申请日期 | 2004.07.13 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 小川澄男;越川康二 |
| 分类号 | G11C29/00(2006.01) | 主分类号 | G11C29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种具有冗余电路的半导体存储器件，包括：多个存储块；和提供给所述的多个存储块的每个存储块的多个冗余存储块，其中用于选择所述的多个存储块的每个存储块的地址位不同于用于选择所述的多个冗余存储块的每个的地址位。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||