发明名称 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
摘要 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。该方法包括:在基底上形成栅极线;在栅极线上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成半导体层;在半导体层上形成数据线和漏极;在数据线和漏极上沉积钝化层;在钝化层上形成包括第一部分和比第一部分薄的第二部分的光阻剂;将光阻剂作为掩模蚀刻钝化层,从而至少部分地暴露漏极的一部分;去除光阻剂的第二部分;沉积导电膜;去除光阻剂,从而在漏极的暴露部分上形成像素电极。
申请公布号 CN1822352A 申请公布日期 2006.08.23
申请号 CN200610002183.6 申请日期 2006.01.18
申请人 三星电子株式会社 发明人 金彰洙;金洙真;韩京泰;崔熙焕;金周汉
分类号 H01L21/84(2006.01);H01L27/12(2006.01) 主分类号 H01L21/84(2006.01)
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人 韩明星;冯敏
主权项 1、一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法,所述方法包括:在基底上形成栅极线;在所述栅极线上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成半导体层;在所述半导体层上形成数据线和漏极;在所述数据线和所述漏极上沉积钝化层;在所述钝化层上形成光阻剂;将所述光阻剂作为掩模来蚀刻所述钝化层和所述第一绝缘层,以暴露所述漏极的部分和所述基底的至少一部分;部分地去除所述漏极的暴露部分;沉积导电膜;去除所述光阻剂,以形成与所述漏极的所述暴露部分连接的像素电极。
地址 韩国京畿道