半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种DRAM，其中的接点泄漏受到抑止而不会增加电容器的电容；扩散层和露头电极之间的接触面积增大以减小二者之间的接触电阻，因而可以减小DRAM单元的尺寸和保证栅极电极和露头电极两端的绝缘耐电压。在存储器元件和逻辑元件作在同一块半导体基片上的半导体器件中，存储器元件的晶体管包括：穿过栅极绝缘薄膜(15)埋入在半导体基片(11)上作出的沟槽(13)内的栅极电极(16)；和在半导体基片(11)的表面上的沟槽(13)的侧壁上形成扩散层(17)。另外，露头电极(20)与扩散层(17)连接，使露头电极可以穿过在栅极电极(16)上的第一层间绝缘膜(绝缘薄膜)(18)，覆盖栅极电极(16)。扩散层(17)的深度增加时，扩散层(17)的杂质浓度降低。

主权项

1.一种其存储器元件和逻辑元件形成在同一块半导体基片(11)上的半导体器件的制造方法，所述制造半导体器件的方法的特征在于，制造存储器元件的一个存储器晶体管的步骤包括：在该半导体基片(11)上和在该半导体基片(11)上形成的元件隔开区域(12)上形成一个沟槽(13)的步骤；在该沟槽(13)内形成一个栅极绝缘薄膜(15)的步骤；形成一个栅极电极(16)和一条字线，以充满该沟槽(13)，同时该沟槽(13)的上部未覆盖的步骤；在该半导体基片(11)表面侧，在沟槽(13)的侧壁上形成一个扩散层(17)的步骤；形成一个覆盖该沟槽(13)上部的绝缘薄膜(18)的步骤；在栅极电极(16)上形成一个接触孔(19)，使该接触孔(19)穿过绝缘薄膜(18)达到扩散层(17)，以覆盖该栅极电极(16)的步骤；在该接触孔(19)内形成一个露头电极(20)的步骤；和进行热处理以激活该露头电极(20)的步骤；以及制造逻辑元件的一个逻辑晶体管的步骤包括：在包括栅极电极(16)和字线的同一个层上，在该半导体基片(11)上，形成一个虚拟的栅极图形(71)的步骤；利用该虚拟的栅极图形(71)作为掩模，形成逻辑晶体管的一个低浓度扩散层(72)的步骤；在该虚拟的栅极图形(71)的侧面上形成一个侧壁(73)的步骤；利用该虚拟的栅极图形(71)和该侧壁(73)作为掩模，形成逻辑晶体管的扩散层(74)的步骤；利用绝缘薄膜(18)，覆盖在同一层上的虚拟的栅极图形(71)的步骤；在该接触孔(19)内形成该露头电极(20)后，在使该绝缘薄膜(18)平面化的过程中，露出该虚拟的栅极图形(71)的上部的步骤；在进行了激活该露头电极(20)的热处理之后，通过除去该虚拟的栅极图形(71)形成一个栅极沟槽(81)的步骤；和在该栅极沟槽(81)中，形成一个穿过栅极绝缘薄膜(82)的栅极电极(84)的步骤。