Speicherbauelement und Verfahren zur Anwendung einer positiven Gatebelastung zur Wiederherstellung einer zu stark gelöschten Zelle,申请号DE200411001862-传众专利搜索

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发明名称	Speicherbauelement und Verfahren zur Anwendung einer positiven Gatebelastung zur Wiederherstellung einer zu stark gelöschten Zelle
摘要
申请公布号	DE112004001862(T5)	申请公布日期	2006.08.17
申请号	DE200411001862	申请日期	2004.09.16
申请人	ADVANCED MICRO DEVICES, INC.	发明人	HAMILTON, DARLENE;LIU, ZHIZHENG;RANDOLPH, MARK W.;HE, YI;HSIA, EDWARD;TANPAIROJ, KULACHET;LEE, MIMI;MADHANI, ALYKHAN
分类号	G11C16/34;G11C16/04	主分类号	G11C16/34
代理机构		代理人
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