发明名称 使用记忆装置以监测及控制二进制状态装置之系统与方法
摘要 一种静态随机存取记忆体(SRAM),包括一输入读取暂存器(IRR),用以监视外部二进制装置的状态,以及一输出驱动暂存器(ODR),用以控制外部二进制装置的状态。SRAM可以是一供多个处理器或控制器存取的多埠装置。IRR的每一个位元可反映所连接之外部二进制装置的状态,且可由所连接的处理器使用标准的读取指令予以读取。ODR的每一个位元可经由将一个到达SRAM供应电压的路径提供予所连接之外部二进制装置,以操作该装置的状态,ODR的每一个位元也可被读取而不改变被连接之外部二进制装置的状态,或不中断该装置的操作。当设定到正常模式时,IRR及ODR使用的位址可与SRAM主记忆体阵列一起使用,用于标准记忆体的操作。
申请公布号 TW200629062 申请公布日期 2006.08.16
申请号 TW094137396 申请日期 2005.10.26
申请人 整合装置科技公司 发明人 王永圣;史皮革;黄德光;班比尔
分类号 G06F12/00 主分类号 G06F12/00
代理机构 代理人 黄庆源;何爱文
主权项
地址 美国