烷氧化物、薄膜形成用原料及薄膜之制造方法

摘要

本发明之烷氧化物系以下述通式(I)所示者。本发明之烷氧化物系可以液体之状态输送且蒸气压大而易汽化之铁化合物，尤其，可实现组成控制性优异之薄膜的制造，适于藉CVD法制造多成分薄膜之情形。094136573-p01.bmp(式中，R^1及R^2分别独立表示氢原子及碳原子数1～4之烷基，R^3及R^4表示碳原子数1～4之烷基，A表示碳原子数1～8之烷二基)。094136573-p01.bmp