| 发明名称 | MOS晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管及其制造方法，该晶体管包括在半导体衬底的整个表面上被形成为具有不同厚度的栅极多晶氧化物层。在半导体衬底上形成栅极氧化物层构图和栅极导电层构图。掩蔽层构图形成在半导体衬底和栅极导电层构图上，使得栅极导电层构图被掩蔽层构图完全覆盖。利用掩蔽层构图将半导体衬底制成非晶的。除去掩蔽层构图，然后在半导体衬底的整个表面上沉积栅极多晶氧化物层。栅极间隙壁层沉积在栅极多晶氧化物层上，且通过各向异性蚀刻栅极间隙壁层和栅极多晶氧化物层而形成栅极间隙壁。在半导体衬底上形成源极/漏极区。因而，可以防止对半导体衬底的损伤，可以较薄地形成结区并提高MOS晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1270361C | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN02106771.6 | 申请日期 | 2002.03.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李东勋 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制造MOS晶体管的方法，包括：(a)在半导体衬底上形成栅极氧化物层构图和栅极导电层构图；(b)在半导体衬底和栅极导电层构图上形成掩蔽层构图，使得栅极导电层构图完全被掩蔽层构图覆盖；(c)利用掩蔽层构图，通过将离子注入到半导体衬底的预定部分中而将半导体衬底制成非晶的；(d)除去掩蔽层构图并在半导体衬底的整个表面上沉积栅极多晶氧化物层，其中栅极多晶氧化物层生长为具有包括第一厚度和第二厚度的不同厚度，并且仅在半导体衬底的已被制成非晶的部分上将栅极多晶氧化物层形成至第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度；(e)在栅极多晶氧化物层上沉积栅极间隙壁层，并通过各向异性蚀刻栅极间隙壁层和栅极多晶氧化物层而形成栅极间隙壁；以及(f)在半导体衬底上形成源极/漏极区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||