| 主权项 |
1.一种雷射切割技术,适用于一细间距(Fine Pitch)线 路制程中,该雷射切割技术至少包括: 在一基板上之一需雷射切割区域布置一金属层; 将该金属层之一端连接一量测仪器; 以一雷射切割该金属层至一预定线宽,以得到至少 一线路于该金属层上,其中该线路之一端系与该量 测仪器相接;以及 量测该线路之阻抗値。 2.如申请专利范围第1项所述之雷射切割技术,其中 更包括根据一需求阻抗値,利用该量测仪器在该金 属层上找出符合该需求阻抗値的一线宽之步骤。 3.如申请专利范围第2项所述之雷射切割技术,其中 更包括当该线路之阻抗値不符合该需求阻抗値时, 以该雷射修改该线路之该线宽,以使该线路之阻抗 値符合该需求阻抗値。 4.如申请专利范围第1项所述之雷射切割技术,其中 该金属层的材质系选自于铜、铜合金、金、银、 铝或铝合金所组成之族群。 5.如申请专利范围第1项所述之雷射切割技术,其中 该线路可为一高速讯号对(Differential Pair)。 6.如申请专利范围第1项所述之雷射切割技术,其中 该线路可为共平面波导(Coplanar Waveguide;CPW)。 7.如申请专利范围第1项所述之雷射切割技术,其中 该线路可为一螺旋型电感。 8.如申请专利范围第1项所述之雷射切割技术,其中 该雷射为适合切割铜、铜合金、金、银、铝或铝 合金之雷射。 9.如申请专利范围第1项所述之雷射切割技术,其中 该雷射之能量可进行调整,以改变该线路之间距。 10.如申请专利范围第1项所述之雷射切割技术,其 中该量测仪器系为一时域反射仪(Time Domain Reflectrometer;TDR)。 11.如申请专利范围第1项所述之雷射切割技术,其 中该量测仪器系为一阻抗分析仪(Impedance Analyzer) 。 12.一种运用于细间距线路制程之雷射切割技术,该 雷射切割技术至少包括: 在一基板上之一需雷射切割区域布置一金属层;以 及 根据一需求阻抗値,以一雷射切割该金属层至该需 求阻抗値所对应之一线宽,以得到一线路。 13.如申请专利范围第12项所述之雷射切割技术,其 中更包括将该线路之一端连接一量测仪器,并即时 量测该线路之阻抗値,以检查该线路之阻抗値是否 符合该需求阻抗値之步骤。 14.如申请专利范围第13项所述之雷射切割技术,其 中当该线路之阻抗値不符合该需求阻抗値时,以该 雷射修改该线路之该线宽,以使该线路之阻抗値符 合该需求阻抗値。 15.如申请专利范围第12项所述之雷射切割技术,其 中该金属层的材质系选自于铜、铜合金、金、银 、铝或铝合金所组成之族群。 16.如申请专利范围第12项所述之雷射切割技术,其 中该雷射为适合切割铜、铜合金、金、银、铝或 铝合金之雷射。 17.如申请专利范围第12项所述之雷射切割技术,其 中该雷射之能量可进行调整,以改变该线路之间距 。 18.如申请专利范围第12项所述之雷射切割技术,其 中该线路可为高速讯号对。 19.如申请专利范围第12项所述之雷射切割技术,其 中该线路可为共平面波导。 20.如申请专利范围第12项所述之雷射切割技术,其 中该线路可为螺旋型电感。 21.如申请专利范围第12项所述之雷射切割技术,其 中该量测仪器系为一时域反射仪。 22.如申请专利范围第12项所述之雷射切割技术,其 中该量测仪器系为一阻抗分析仪。 图式简单说明: 第1a图与第1b图系绘示本发明一实施例之高速讯号 对的切割示意图。 第2图系绘示本发明另一实施例之螺旋型电感的切 割示意图。 |
