发明名称 |
对半导体基片进行电镀和抛光的方法及装置 |
摘要 |
本发明提供了一种在半导体基片(2)上电镀/沉积导电材料并抛光该基片的方法和装置。在一个装置中设置有多个腔(100,200),其中一个腔(100)用于电镀/沉积导电材料,另一个腔(200)用于抛光该半导体基片。电镀/沉积过程可以通过刷镀或电化学机械沉积进行,抛光过程可以通过电解抛光或化学机械抛光进行。本发明还提供了一种用于间断地给半导体基片(2)施加导电材料并当不再给基片(2)施加导电材料时间断地抛光该基片的方法和装置。另外,本发明还提供了一种使用一新型阳极组件电镀/沉积和/或抛光导电材料并改善电解质转移性能的方法和装置。 |
申请公布号 |
CN1268470C |
申请公布日期 |
2006.08.09 |
申请号 |
CN00807964.1 |
申请日期 |
2000.03.29 |
申请人 |
ASM纳托尔公司 |
发明人 |
霍梅昂·塔利;希普里安·埃梅卡·乌佐 |
分类号 |
B24B39/06(2006.01);B24B37/04(2006.01);B24B41/047(2006.01);B24D13/06(2006.01);H01L21/288(2006.01);H01L21/321(2006.01) |
主分类号 |
B24B39/06(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
刘志平 |
主权项 |
1.一种用于对半导体工件的表面进行电镀和材料去除的装置,包括:具有用于对工件表面进行电镀的电镀设备的第一腔;具有用于对工件表面去除材料的材料去除设备的第二腔;以及分隔第一腔和第二腔的隔离物,其中利用第一腔对半导体工件的一个表面部分重复地进行电镀,同时用第二腔对半导体工件的另一个表面部分重复地进行材料去除。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |