| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种半导体器件和显示器件及其制造方法，通过简化了的工艺，能够以改进了的材料效率来制作这种半导体器件和显示器件。另一目的是提供一种技术，此技术能够以良好的可控性在所需的形状中形成诸如包括在半导体器件或显示器件中的布线之类的图形。制造本发明半导体器件的方法的一个特点是包括下列步骤：形成具有粗糙表面的层；在粗糙表面上形成对包含导电材料的组分浸润性低的区域以及对此组分浸润性高的区域；以及用此组分在浸润性高的区域中形成导电材料。由于能够形成浸润性非常不同的各个区域(浸润性差别大的区域)，故液体导电材料或绝缘材料仅仅被精确地固定到形成区。因此，能够在所需图形中精确地形成导电层或绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN1815686A | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200510129682.7 | 申请日期 | 2005.12.16 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 森末将文;前川慎志 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成具有粗糙表面的层；在粗糙表面上方，形成对包含导电材料的组分具有低浸润性的区域以及对此组分具有高浸润性的区域；以及用此组分在浸润性高的区域中形成导电层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||