| 发明名称 | TFT阵列面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种TFT阵列面板，包括：下部铝层；氮化铝层，形成于下部铝层上；以及上部铝层，形成于氮化铝层上。这种包括铝布线的TFT阵列面板减少乃至防止形成可能引起短路的小丘。本发明还公开了一种制造这种TFT阵列面板的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1812109A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200510130269.2 | 申请日期 | 2005.12.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 裴良浩;李制勋;赵范锡;郑敞午 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/13(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李伟 |
| 主权项 | 1.一种TFT阵列面板，包括：下部铝层；氮化铝层，形成于所述下部铝层上；以及上部铝层，形成于所述氮化铝层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||