发明名称 高过载三自由度加速度计
摘要 高过载三自由度加速度计,该加速度计包括四方体的基座,基座的X、Y、Z三个方向的表面上分别设置X轴、Y轴和Z轴加速度梁,X轴、Y轴和Z轴加速度梁上分别覆盖有盖板,加速度梁包括质量块,质量块通过梁与固支端连接,梁上靠近固支端处键合有SOI硅微固态压阻芯片,固支端与相应的基座固定,质量块与相应的盖板和基座之间有间隙,此间隙限制了质量块的活动范围,达到了高过载保护的作用。本发明采用悬臂梁式弹性元件和SOI硅微固态压阻芯片,解决了导弹、鱼雷、火箭等武器系统引信机构三自由度加速度高g值的测量和高过载保护的问题,该加速度计具有测量范围广、测量精度高、动态特性好、耐高温和高过载的特点。
申请公布号 CN1267732C 申请公布日期 2006.08.02
申请号 CN200510041810.2 申请日期 2005.03.17
申请人 西安交通大学 发明人 赵玉龙;蒋庄德;赵立波
分类号 G01P15/12(2006.01);F42B10/60(2006.01) 主分类号 G01P15/12(2006.01)
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 罗笛
主权项 1.高过载三自由度加速度计,其特征在于,该加速度计包括四方体的基座(2),基座(2)的X、Y、Z三个方向的表面上分别设置X轴加速度梁(8)、Y轴加速度梁(7)和Z轴加速度梁(6),所述X轴加速度梁(8)、Y轴加速度梁(7)和Z轴加速度梁(6)上分别覆盖X盖板(5)、Y盖板(4)和Z盖板(3),所述X轴加速度梁(8)、Y轴加速度梁(7)和Z轴加速度梁(6)包括质量块(11),质量块(11)通过悬臂梁(12)与固支端(13)连接,所述悬臂梁(12)上靠近固支端(13)处键合有SOI硅微固态压阻芯片(9),固支端(13)与相应的基座(2)固定,所述质量块(11)与相应的盖板和基座(2)之间有间隙(14)。
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