非挥发性记忆体及其制造方法与操作方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，首先提供基底，并于基底上形成多数个堆叠闸极结构，各个堆叠闸极结构之间具有间隙，各个堆叠闸极结构包括闸介电层、第一导体层与罩幕层。接着，以罩幕层为罩幕蚀刻基底，以于基底中形成多数个沟渠，这些沟渠平行排列，并在第一方向上延伸。移除罩幕层后，于基底上形成复合介电层，此复合介电层包括底介电层、电荷陷入层与顶介电层。之后，于复合介电层上形成多数个第二导体层，这些第二导体层填入沟渠中，这些第二导体层平行排列，并往第二方向延伸，第二方向与第一方向交错。