| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种能够抑制因牺牲氧化工序和栅极氧化形成工序而引起的沟道区域的杂质浓度的下降，从而较容易地控制沟道区域的杂质浓度且获得所希望的Vt的半导体装置及其制造方法。通过在沟渠T的壁面上形成栅极绝缘膜4的工序之后，利用离子注入法形成为沟道区域的P型衬底区域3，来形成在深度方向上具有很陡的坡度的P型杂质浓度分布。 | ||
| 申请公布号 | CN1808700A | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN200510118633.3 | 申请日期 | 2005.11.01 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 宫田里江;沟口修二 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/331(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01);H01L29/36(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：工序a，在半导体衬底形成第1导电型第1半导体区域，工序b，在上述半导体衬底形成到达上述第1半导体区域的规定部位的沟渠，工序c，在上述沟渠壁面上形成栅极绝缘膜，工序d，在上述工序c后，在上述半导体衬底内的上述第1半导体区域上形成第2导电型第2半导体区域，工序e，在上述沟渠内的上述栅极绝缘膜上形成第1导电型栅极电极，以及工序f，在上述半导体衬底内的上述第2半导体区域上形成第1导电型第3半导体区域；在上述工序e中，上述栅极电极形成为在上述栅极绝缘膜上分别跨越上述第2半导体区域、上述第1半导体区域中的位于上述第2半导体区域下侧的部分、和上述第3半导体区域中的位于上述第2半导体区域上侧的部分。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||