| 主权项 |
1.一种偏光板结构,包括: 一偏光层; 一第一光学膜,其系形成于该偏光层上方;及 一第二光学膜,其系形成于该偏光层下方; 其中该第一光学膜与第二光学膜中至少一光学膜 系一聚甲基丙烯酸甲酯光学膜。 2.如申请专利范围第1项之偏光板结构,其中该第一 光学膜系一聚甲基丙烯酸甲酯光学膜,该第二光学 膜系选自三醋酸纤维、聚碳酸酯以及聚环烯烃高 分子中的任一材质。 3.如申请专利范围第1项之偏光板结构,其中光学膜 所采用之聚甲基丙烯酸甲酯光学膜,包含: 至少选择一种聚甲基丙烯酸甲酯、被取代官能基 之聚甲基丙烯酸甲酯以及聚甲基丙烯酸甲酯混掺 中的任一材质;以及 溶剂,选择对应所选择的该聚甲基丙烯酸甲酯、该 被取代官能基之聚甲基丙烯酸甲酯以及该聚甲基 丙烯酸甲酯混掺中的任一材质,依所需性质以任意 比例均匀混合在该溶剂中以形成一混合溶液,该混 合溶液经过热处理后形成光学膜。 4.如申请专利范围第3项之偏光板结构,其中聚甲基 丙烯酸甲酯、被取代官能基之聚甲基丙烯酸甲酯 以及聚甲基丙烯酸甲酯混掺中的任一材质系以20 至40%的重量百分比混掺该溶剂。 5.如申请专利范围第3项之偏光板结构,其中该官能 基为甲基。 6.如申请专利范围第5项之偏光板结构,其中该被取 代官能基之聚甲基丙烯酸甲酯系选择以乙基、丙 基、异丙基、正丁基、异丁基、新丁基、正已基 、异已基、环己基以及数种前述的官能基取代聚 甲基丙烯酸甲酯之甲基。 7.如申请专利范围第3项之偏光板结构,其中该混掺 系选择高分子、小分子、可塑剂、UV吸收剂、抗 降解剂以及奈米级粒子混掺中的任一型态。 8.如申请专利范围第7项之偏光板结构,其中该奈米 级粒子之粒径小于100奈米。 9.如申请专利范围第3项之偏光板结构,其中该溶剂 系选自于甲苯、丙酮以及乙酸甲酯中的任一溶剂 。 10.如申请专利范围第3项之偏光板结构,其中该溶 剂系选择芳香族、环烷类、醚类、酯类以及酮类 中的任一溶剂。 11.如申请专利范围第10项之偏光板结构,其中该芳 香族系选择甲苯,邻-、间-以及对-二甲苯中的任一 型态。 12.如申请专利范围第10项之偏光板结构,其中该环 烷类包括环己烷。 13.如申请专利范围第10项之偏光板结构,其中该醚 类系选择二乙基醚以及四氢氟喃中的任一醚类。 14.如申请专利范围第10项之偏光板结构,其中该酯 类系选择乙酸甲酯以及乙酸乙酯中的任一酯类。 15.如申请专利范围第10项之偏光板结构,其中该酮 类系选择丙酮、甲基乙基酮以及1-甲基环戊酮中 的任一酮类。 16.如申请专利范围第1项之偏光板结构,其中该光 学膜之厚度介于20~200微米之间。 17.如申请专利范围第1项之偏光板结构,其中该光 学膜进一步选择添加包含聚甲基丙烯酸甲酯材质 、包含被取代官能基之聚甲基丙烯西变甲酯材质 以及包含前述各种聚甲基丙烯酸甲酯混掺材质中 包覆一橡胶弹性材质所形成之粒子。 18.如申请专利范围第17项之偏光板结构,其中该橡 胶弹性材质系可选择丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸 甲酯、苯乙烯以及其共聚合物中的任一材质。 19.如申请专利范围第17项之偏光板结构,其中该橡 胶弹性材质之粒径尺寸系小于10微米。 20.如申请专利范围第17项之偏光板结构,其中该橡 胶弹性材质之粒径尺寸系奈米尺度。 21.如申请专利范围第17项之偏光板结构,其中以2.5~ 50%的添加量,选择聚甲基丙烯酸甲酯、被取代官能 基之聚甲基丙烯酸甲酯以及各种聚甲基丙烯酸甲 酯混掺中的任一材质包覆该橡胶弹性材质。 22.如申请专利范围第3项之偏光板结构,其中该光 学膜进一步于制程中添加矽土。 23.如申请专利范围第22项之偏光板结构,其中矽土 之添加量系选择占光学膜重量百分比的0.5%至15%中 的任一比例。 24.如申请专利范围第22项之偏光板结构,其中添加 之矽土系与溶剂先行混合,以提供后续的聚甲基丙 烯酸甲酯混掺程式使用。 25.如申请专利范围第22项之偏光板结构,其中添加 之矽土系在聚甲基丙烯酸甲酯粒子混掺程式中,与 聚甲基丙烯酸甲酯一起加入溶剂。 26.如申请专利范围第22项之偏光板结构,其中添加 之矽土系在聚甲基丙烯酸甲酯混掺程式后,再行混 入。 27.如申请专利范围第22项之偏光板结构,其中矽土 之添加量系选择占光学膜重量百分比的0.5%至15%中 的任一比例。 28.如申请专利范围第3项之偏光板结构,其中该光 学膜系透过该混合溶液分布在一基板上备制后,再 贴合于该偏光膜并进行一热处理后所形成。 29.如申请专利范围第28项之偏光板结构,其中该混 合溶液系利用一溶剂铸膜之方式而分布在该基板 上。 30.如申请专利范围第29项之偏光板结构,其中该溶 剂铸膜之方式系选择刮刀涂布、缠线棒涂布、逆 或同向式滚筒涂布、气帘式涂布、轮式涂布、雕 筒涂布、浸沾式涂布、旋转涂布、狭缝式涂布、 挤压式涂布、淋幕式涂布、压出成型以及射出成 型中的任一方式。 31.如申请专利范围第30项之偏光板结构,其中该基 板系选择玻璃基板、塑胶基板、镜面钢板、镜面 钢带以及表面均匀性良好之合成高分子中的任一 材质。 32.如申请专利范围第31项之偏光板结构,其中该合 成高分子系选择PET、PEN、PES、PI、PAR、PC、以及天 然纤维中的任一材质,且该天然纤维系选择CA、DAC 以及TAC中的任一材质。 33.如申请专利范围第28项之偏光板结构,其中该热 处理系利用UV光照射该基板上之该混合溶液。 34.如申请专利范围第3项之偏光板结构,其中该光 学膜系透过该混合溶液分布于该偏光膜表面并进 行一热处理后所形成。 35.如申请专利范围第34项之偏光板结构,其中该混 合溶液系利用一溶剂铸膜之方式而分布在该偏光 膜上。 36.如申请专利范围第35项之偏光板结构,其中该溶 剂铸膜之方式系选择刮刀涂布、缠线棒涂布、逆 或同向式滚筒涂布、气帘式涂布、轮式涂布、雕 筒涂布、浸沾式涂布、旋转涂布、狭缝式涂布、 挤压式涂布、淋幕式涂布、压出成型以及射出成 型中的任一方式。 37.如申请专利范围第34项之偏光板结构,其中该热 处理系利用UV光照射该基板上之该混合溶液。 38.如申请专利范围第1项之偏光板结构,其中该光 学膜之PVA内缩变化率小于2%。 图式简单说明: 第1图系本创作偏光板结构一具体实施例之立体视 图; 第2图系本创作偏光板结构一具体实施例之制作流 程图; 第3图系习知偏光板结构与本创作偏光板结构之单 体透过率变化量比较图; 第4图系习知偏光板结构与本创作偏光板结构之偏 光度变化量比较图; 第5图系习知偏光板结构与本创作偏光板结构之PVA 内缩率比较图。 |
