CMP Polierkissen, das Rillen angeordnet aufweist, um eine Verwendung eines Poliermediums zu verbessern

摘要

Polierkissen (104, 304, 404, 504), das eine ringförmige Polierspur (152, 312, 312, 512) zum Polieren eines Wafers (120, 316, 416, 516) aufweist. Eine Mehrzahl von Rillen (112, 320, 420, 520) ist innerhalb der Waferspur so angeordnet, daß sie voneinander sowohl radial als auch in Umfangsrichtung relativ zur Rotationsart eines Kissens beabstandet sind und sich wenigstens teilweise nicht in Umfangsrichtung relativ zu dem Kissen befinden.