| 发明名称 | 用于n型Ⅲ族氮化物半导体的n型欧姆电极、具有该电极的半导体发光器件及用于形成n型欧姆电极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种适于n型III族氮化物半导体的n型欧姆电极的结构，及其用于提供低的接触电阻率的形成方法。提供的n型欧姆电极在与n型III族氮化物半导体的结界面处包括铝和镧的合金或包括镧。所述方法包括在300℃或更低温度下形成镧铝合金层，以在所述结界面处形成富镧的n型欧姆电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1802728A | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200480015692.1 | 申请日期 | 2004.07.16 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 宇田川隆 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/338(2006.01);H01L29/812(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种与n型III族氮化物半导体一起使用的n型欧姆电极，所述n型欧姆电极与n型III族氮化物半导体层的表面接触，其中所述n型欧姆电极层由铝(原子符号：Al)和镧(原子符号：La)的合金形成，或者包括镧。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||