分立晶粒垂直结构的LED芯片制备方法

摘要

本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延生长过程中，由于应力分布的改善，外延层中位错密度减少，晶体质量提高，从而提高了LED内量子效率。设计岛状区域的形状，使生长获得的晶粒几何形状为适合光导出的多边形、圆形，提高LED的光功率。由于岛状区域生长有利于应力的释放，在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。

主权项

1.一种分立晶粒垂直结构的LED制备方法，具体包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底上淀积SiO2，并刻蚀SiO2以限定岛状生长区域和几何形状；2)在刻蚀有SiO2图形的衬底上依次生长n型GaN、LED有源层、p型GaN，外延片还要进行常规的P型激活退火；3)在p-GaN上制备电极和反射层；4)将上述带有P电极LED外延片键合在Si或Cu支撑衬底上，放置在真空室中抽走胶中气泡；5)激光剥离去除蓝宝石衬底；6)在n-GaN面上完成n电极制备；7)分离岛状生长区域为垂直电极结构的LED芯片。