| 发明名称 | 用于低K工艺的铜通孔的铬粘结层 | ||
| 摘要 | 在具有铜互连(30，50)和低k层间介质(40)的集成电路中，发现热处理后的断路问题，通过Cr第一衬层(42)、随后CVD TiN保形衬层(46)、依次随后的Ta或TaN最终衬层(48)解决该问题，从而提高通孔(50)和下层的铜层(30)之间的粘附力，同时保持低电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1263109C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN01821902.0 | 申请日期 | 2001.12.13 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 | 发明人 | 布雷特·H·恩格尔;马克·霍因基斯;约翰·A·米勒;徐顺天;王允愈;黄洸汉 |
| 分类号 | H01L21/44(2006.01);H01L21/4763(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/44(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种在集成电路中形成铜互连的方法，包括以下步骤：(a)淀积和构图第一铜互连层(30)；(b)淀积第一低介电常数层间介质层(40)；(c)形成一组通孔，所述通孔穿过所述的第一低介电常数层间介质层，在所述第一铜互连层上中止。(d)在所述通孔组内淀积Cr第一衬层(42)；以及(e)淀积和构图第二铜互连层(50)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||