| 发明名称 | 具有氧化物凸缘应用的STI的原地和异地腐蚀方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种集成电路结构，通过用于将一部分集成电路结构腐蚀到一定目标深度的方法而形成，这种集成电路结构具有第一组成材料区域，以及与第一种组成材料区域相邻的至少第二组成材料区域，该方法包括：(i)应用第一种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀第一组成材料区域；(ii)应用第二种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀第二组成材料区域；和重复步骤(i)和(ii)，直到达到特定的目标深度，其中通过来回倒换使用这些腐蚀化学药品，保持集成电路结构及其组成材料区域的特定侧面。 | ||
| 申请公布号 | CN1797767A | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN200510128577.1 | 申请日期 | 2001.03.22 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | A·J·米勒;F·索埃斯伊洛 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种集成电路(IC)结构，通过用于将一部分集成电路(IC)结构腐蚀到一定目标深度的方法而形成，这种集成电路结构具有第一组成材料区域，以及与第一种组成材料区域相邻的至少第二组成材料区域，该方法包括：(i)应用第一种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀第一组成材料区域；(ii)应用第二种腐蚀化学药品，它能够优选腐蚀第二组成材料区域；和重复步骤(i)和(ii)，直到达到特定的目标深度，其中通过来回倒换使用这些腐蚀化学药品，保持集成电路结构及其组成材料区域的特定侧面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||