| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高可靠性的半导体显示器件。一种半导体显示器件包括：形成在绝缘表面上的半导体膜；与半导体膜接触的栅绝缘膜；与栅绝缘膜接触的第一栅电极；与第一栅电极接触的第二栅电极；其中第二栅电极端部具有锥形截面，其中半导体膜包括：沟道形成区，与沟道形成区接触的轻掺杂漏区，与轻掺杂漏区接触的源区和漏区，其中沿沟道纵向的第一栅电极的第一宽度宽于沿沟道纵向的第二栅电极的第二宽度，其中轻掺杂漏区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。 | ||
| 申请公布号 | CN1263153C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN01110971.8 | 申请日期 | 2001.03.06 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润;须泽英臣;小野幸治;荒尾达也 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/00(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体显示器件包括：形成在绝缘表面上的半导体膜；与半导体膜接触的栅绝缘膜；与栅绝缘膜接触的第一栅电极；与第一栅电极接触的第二栅电极；其中第一栅电极端部具有第一锥角的锥形截面，其中第二栅电极端部具有第二锥角的锥形截面，其中半导体膜包括：沟道形成区，与沟道形成区接触的轻掺杂漏区，与轻掺杂漏区接触的源区和漏区，其中沿沟道纵向的第一栅电极的第一宽度宽于沿沟道纵向的第二栅电极的第二宽度，其中轻掺杂漏区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间，且其中第一锥角不同于第二锥角。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||