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发明名称
覆晶封装化合物半导体之静电放电保护装置以及方法
摘要
本发明是有关于一种覆晶半导体元件以及其形成方法,且特别是有关于一种具有防止静电放电破坏的覆晶半导体元件,且各特别为关于一种在电极衬垫与电极衬垫之间具有氧化锌材料,形成一过电压的压变电阻元件,制成氧化锌覆晶基板(SUBMOUNT),与被保护之覆晶半导体元件行程并联,在正常工作的时候电极与电极之间几乎是开路状态,且较一般保护用崩溃二极体有更小漏电流,当静电来袭时它就会短路而泄放过多的电压,来完成静电保保护。
申请公布号
TW200623387
申请公布日期
2006.07.01
申请号
TW093139294
申请日期
2004.12.16
申请人
张国英
发明人
张连璧
分类号
H01L23/60
主分类号
H01L23/60
代理机构
代理人
主权项
地址
桃园县平镇市贸易里贸易七村443号
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