制作双镶嵌结构以及清除其残余聚合物的方法

摘要

本发明提供一种双镶嵌结构之制作方法，其系在蚀刻双镶嵌结构之部分介层洞后，先去除定义该介层洞之光阻层，再继续蚀刻介层洞至暴露出下层导电层，随即于同一反应室中进行一乾式清洗制程，以清除在蚀刻时产生之残余聚合物。