发明名称 低电压半导体记忆体装置
摘要 本发明提供一种具有一用于读取或储存资料之单元阵列区域的半导体记忆体装置,其包括:一包括复数个标准单元之标准单元块,每一标准单元耦接至用于储存资料之一位元线及一位元线棒中之一者;及一包括复数个参考单元单位之参考单元块,每一参考单元块包括一参考电容器、一用于将该参考电容器之一第一端子连接至该位元线之第一参考电晶体、一用于将该参考电容器之该第一端子连接至该位元线棒之第二参考电晶体及一连接至一参考电压以将该参考电压供应至该参考电容器之该第一端子之第三参考电晶体。
申请公布号 TW200623120 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW094115637 申请日期 2005.05.13
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 姜熙福;安进弘
分类号 G11C11/22 主分类号 G11C11/22
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国