| 主权项 |
1.一种半导体雷射装置,包括: 散热体,具有一主面; 第1导电型第1半导体层,配设于该散热体的主面上, 具有与该散热体主面相对向的第1主面,及与该第1 主面相对向的第2主面; 主动层,配设于该第1半导体层的第2主面上,具有与 该第1半导体第2主面相对向的第1主面,及与该第1 主面相对向的第2主面;以及 第2导电型第2半导体层,配设于该主动层的第2主面 上,具有与该主动层第2主面相对向的第1主面,及与 该第1主面相对向的第2主面; 其特征在于: 该主动层第1主面与该第1半导体层第1主面之间的 有效折射率,系较低于该主动层第2主面与该第2半 导体层第2主面之间的有效折射率,且该主动层第1 主面与该第1半导体层第1主面之间的热电阻,系较 小于该主动层第2主面与该第2半导体层第2主面之 间的热电阻。 2.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中, 该第1半导体层系具有热传率1、折射率n1及层厚 t1,该主动层系具有折射率na,该第2半导体层系具有 热传率2、折射率n2及层厚t2,且设定为na>n2>n1,且t 2/2>t1/1。 3.如申请专利范围第1或2项之半导体雷射装置,其 中,在该第1半导体层与主动层之间,更设有折射率n 3、热传率3及层厚t3的无掺杂第3半导体层,而在 该第2半导体层与主动层之间,更设有折射率n4、热 传率4及层厚t4的无掺杂第4半导体层,并设定为na >n3、na>n4、且t4/4>t3/3。 4.一种半导体雷射装置,包括: 散热体,具有一主面; 第1导电型第1半导体层,配设于该散热体的主面上; 单层或复数层第3半导体层,配设于该第1半导体层 上; 主动层,配设于该第3半导体层上; 单层或复数层第4半导体层,配设于该主动层上;以 及 第2导电型第2半导体层,配设于该第1半导体层上; 其特征在于: 由该第1半导体层与第3半导体层所决定的热电阻, 系较小于由该第4半导体层与第2半导体层所决定 的热电阻,且由该第1半导体层与第3半导体层所决 定的有效折射率,系较低于由该第4半导体层与第2 半导体层所决定的有效折射率。 5.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中, 该第1半导体层与第2半导体层,系由各自的折射率n 1或折射率n2,随折射率减少而增加热传率之区域的 材料所构成。 图式简单说明: 第1图系本发明一实施形态的半导体雷射装置示意 图。 第2图系本发明半导体雷射装置的半导体层之折射 率分布示意图。 第3图系本发明一实施形态的半导体雷射装置立体 示意图。 第4图系第3图中IV-IV截面的半导体雷射装置剖视图 。 第5图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变化 例剖视图。 第6图系本发明一实施形态的半导体雷射装置立体 示意图。 第7图系第6图中VII-VII截面的半导体雷射装置剖视 图。 第8图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变化 例剖视图。 第9图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变化 例剖视图。 第10图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变 化例剖视图。 第11图系本发明一实施形态的半导体雷射装置剖 视图。 第12图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变 化例剖视图。 第13图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变 化例剖视图。 第14图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变 化例剖视图。 第15图系本发明一实施形态的半导体雷射装置剖 视图。 第16图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变 化例剖视图。 第17图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变 化例剖视图。 第18图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变 化例剖视图。 第19图系本发明一实施形态的半导体雷射装置剖 视图。 第20图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变 化例剖视图。 第21图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变 化例剖视图。 第22图系本发明一实施形态的半导体雷射装置变 化例剖视图。 |
