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1.一种氧化钨奈米线之制造方法,包含: 在一基板上形成一碳化钨膜; 退火该碳化钨膜;及 在一氧氛围下,热处理该碳化钨膜,使该碳化钨膜 经一化学反应而形成复数氧化钨线体。 2.依据申请专利范围第1项所述之氧化钨奈米线之 制造方法,其中,该碳化钨膜从10至500奈米。 3.依据申请专利范围第1项所述之氧化钨奈米线之 制造方法,其中,该退火之温度从450℃至800℃。 4.依据申请专利范围第3项所述之氧化钨奈米线之 制造方法,其中,该退火之时间从30至200分钟。 5.依据申请专利范围第1项所述之氧化钨奈米线之 制造方法,其中,该热处理之温度从300℃至600℃。 6.依据申请专利范围第5项所述之氧化钨奈米线之 制造方法,其中,该热处理之时间从30至150分钟。 7.依据申请专利范围第1项所述之氧化钨奈米线之 制造方法,其中,该基板选自于下列所构成之群组: 矽、石英、玻璃、金属基板,及半导体基板。 8.依据申请专利范围第1项所述之氧化钨奈米线之 制造方法,其中,该形成碳化钨之步骤系使用溅镀 或化学气相沈积法。 9.依据申请专利范围第3项所述之氧化钨奈米线之 制造方法,其中,该退火之步骤是在一不与该碳化 钨进行化学反应之气氛下进行。 10.依据申请专利范围第9项所述之氧化钨奈米线之 制造方法,其中,该退火之气氛为氮气、氩气,或其 组合。 图式简单说明: 图1是一本发明之第一较佳实施例之扫描式电子显 微镜影像图; 图2是本发明之第一较佳实施例之穿遂式电子显微 镜影像及选区电子绕射分析图; 图3是一本发明之第一至第五较佳实施例之X光绕 射分析比较图; 图4是第一至第五较佳实施例之拉曼光谱曲线比较 图;及 图5是第一、第三、第四和第五较佳实施例之X光 光电子能阶之束缚能特性曲线比较图。 |
