发明名称 |
折叠封装上的选择性参考平面桥路 |
摘要 |
一种装置,包括:具有适合作为至少一个集成电路的支持电路的尺寸的衬底,衬底包括定义第一和第二纵向部分的横向延伸的褶皱区域;多个导电迹线,分布在衬底的第一分布平面中,并横向穿过褶皱区域;分别在衬底的第一部分和第二部分的第二分布平面中的导电材料的第一和第二层;第二分布平面中的至少一个导电桥路,横向穿过少于整个褶皱区域,并耦合到第一连续层和第二连续层;以及至少一个外部可接入接触点,耦合到第一和第二层中的至少一个。一种形成支持电路以及包括封装的系统的方法。 |
申请公布号 |
CN1795555A |
申请公布日期 |
2006.06.28 |
申请号 |
CN200480014568.3 |
申请日期 |
2004.05.21 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
G·里德;E·杰克 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01);H01L25/065(2006.01);H05K1/18(2006.01);H05K1/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
杨凯;张志醒 |
主权项 |
1.一种装置,包括:具有适合作为至少一个集成电路的支持电路的尺寸的衬底,所述衬底包括定义第一纵向部分和第二纵向部分的横向延伸的褶皱区域;多个导电迹线,分布在所述衬底的第一分布平面中,并横向穿过所述第一部分与所述第二部分之间的所述褶皱区域;所述衬底的所述第一部分的第二分布平面中的导电材料的第一连续层,以及所述衬底的所述第二部分的所述第二分布平面中的导电材料的第二连续层;至少一个导电桥路,横向穿过所述第二分布平面中的所述褶皱区域,并耦合到所述第一连续层和所述第二连续层,所述桥路的横向宽度小于所述第一连续层和所述第二连续层其中之一;以及至少一个外部可接入接触点,耦合到所述第一连续层和所述第二连续层中的至少一个。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |