| 发明名称 | 新型微米级芯片尺寸封装散热结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种新型微米级芯片尺寸封装散热结构，是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片，或圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、设置于芯片本体(1)硅基材正面的电路焊垫(2)，植置于电路焊垫顶面的金属凸点(3)，其特征在于：于芯片本体(1)硅基材背面制作凹坑(4)，形成阵列或非阵列；于凹坑(4)表面及凹坑外的芯片本体硅基材背面植上金属层(5)。本发明的特点是改变传统外露基岛的封装方式，将芯片以倒装封装工艺，使裸芯片直接散热。因此具有较佳散热功能或导热功能。 | ||
| 申请公布号 | CN1794446A | 申请公布日期 | 2006.06.28 |
| 申请号 | CN200510095350.1 | 申请日期 | 2005.11.09 |
| 申请人 | 江阴长电先进封装有限公司 | 发明人 | 王新潮;赖志明 |
| 分类号 | H01L23/367(2006.01) | 主分类号 | H01L23/367(2006.01) |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所 | 代理人 | 唐纫兰 |
| 主权项 | 1、一种新型微米级芯片尺寸封装散热结构，包括芯片本体(1)、设置于芯片本体(1)硅基材正面的电路焊垫(2)，植置于电路焊垫顶面的金属凸点(3)，其特征在于：于芯片本体(1)硅基材背面制作凹坑(4)，形成阵列或非阵列；于凹坑(4)表面及凹坑外的芯片本体硅基材背面植上金属层(5)。 | ||
| 地址 | 214431江苏省江阴市滨江中路275号 | ||