发明名称 METHOD OF FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING FINE CONTACT POINT FORMATION PROCESS
摘要
申请公布号 KR20060070290(A) 申请公布日期 2006.06.23
申请号 KR20040108976 申请日期 2004.12.20
申请人 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 发明人 YOON, SUNG MIN;RYU, SANG OUK;SHIN, WOONG CHUL;LEE, NAM YEAL;YU, BYOUNG GON
分类号 H01L21/8247 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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