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发明名称 METHOD FOR FORMING A GATE OXIDE LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING DEUTERIUM GAS
摘要
申请公布号 KR20060068848(A) 申请公布日期 2006.06.21
申请号 KR20040107772 申请日期 2004.12.17
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, JAI DONG;KIM, JUNG HWAN;LEE, SANG HUN;LEE, WOONG;LEAM, HUN HYEOUNG
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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