发明名称 将保护性涂料溅镀于半导体基材上之方法
摘要 本发明系关于将包含矽之材料或金属材料之保护性涂料沉积于半导体基材上之方法,其包括于电浆处理室中将该材料自电极溅镀至半导体基材上。该保护性材料可沉积于覆盖于低k材料之上的多层遮罩上及/或沉积于该低k材料上。在双镶嵌制程中可使用该等方法来保护该遮罩并增强蚀刻选择性,从而在光阻剂剥离制程期间防止该低k材料发生碳损耗,及/或防止该低k材料吸收湿气。
申请公布号 TW200620420 申请公布日期 2006.06.16
申请号 TW094134089 申请日期 2005.09.29
申请人 蓝姆研究公司 发明人 金智洙;琼 雄;严必明;彼得 罗文哈德
分类号 H01L21/203;H01L21/3205;C23C14/40 主分类号 H01L21/203
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国