发明名称 |
于四分之一波长微影中以模式为基础供增加过的焦距深度之散射带配置之方法,程式产品与装置 |
摘要 |
一种产生一具有光学近接校准特征之遮罩的方法。该方法包含以下步骤:(a)取得一所需之目标图案,其具有复数个欲成像于一基板上之特征;(b)当将该遮罩成像时,确定一欲使用之第一焦距设定;(c)以该目标图案与该第一焦距设定为基础,确定一第一干涉图;(d)以该第一干涉图为基础,相对于一欲被成像之特征而确定一第一种晶位置,其代表一辅助特征在该遮罩内之最佳配置;(e)相对于该第一焦距设定而选取一第二焦距设定,其代表预先界定之散焦量;(f)以该目标图案与该第二焦距设定为基础,确定一第二干涉图;(g)以该第二干涉图为基础,相对于该欲被成像之特征而确定一第二种晶位置,其代表一辅助特征在该遮罩内之最佳配置;及(h)产生一辅助特征,其具有一涵盖该第一种晶位置与该第二种晶位置二者之形状。 |
申请公布号 |
TW200619863 |
申请公布日期 |
2006.06.16 |
申请号 |
TW094128950 |
申请日期 |
2005.08.24 |
申请人 |
ASML遮盖器具公司 |
发明人 |
道格拉斯 凡 丹 布洛凯;江枫 陈 |
分类号 |
G03F7/20;G03F1/14;G06F17/50 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
荷兰 |