装置及内连线之制造方法

摘要

本发明揭示一种内连线之制造方法。在形成内连线开口及介层洞(via)之前，先于金属层间介电(inter–metaldielectric，IMD)层的表面上形成一化学机械研磨(chemical–mechanical polishing，CMP)停止层。内连线开口及介层洞可藉由双镶嵌制程形成之。在将导电材料填入内连线开口与介层洞之后，以CMP制程对晶圆进行平坦化，而余留至少一部份的CMP停止层。