锗于绝缘体上(GeOI)型晶圆的制造方法

摘要

本发明系关于锗于绝缘体上型晶圆的制造方法，其包含下列步骤：提供锗基材或包含磊晶锗层的基材，在该锗基材的表面上或中提供介电层，将该来源基材附着于处理基材而形成来源–处理–复合物，以及在预定分裂区之处分开该基材与该来源–处理–复合物而产生锗于绝缘体上型晶圆，该预定分裂区精确地提供于该来源基材内部而且基本上平行于主要表面。为了改良该介电膜品质而且同时达到更具成本效率的制造方法，有人提出在该锗基材与该处理基材之间提供氮氧化锗层。