发明名称 过电流保护器
摘要 本创作提供一种过电流保护器,可提供一直流电源通过,并侦测该直流电源之一电流值,该过电流保护器包括有:至少一铁心、一主线圈以及一霍尔元件。该铁心之一侧具有一凸体,该凸体沿一方向延伸出该铁心。该主线圈跨设于该凸体上,该主线圈可提供该直流电源通过,且使得该直流电源沿该方向形成相对应之一磁通密度。该霍尔元件与该凸体相对应,且距该凸体一间距,可接收该主线圈所形成之磁通密度。透过该霍尔元件之使用特性磁通密度与流过电流成正比关系,进行测量电流值时,防止与电路接触(串接)。
申请公布号 TWM291642 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094219196 申请日期 2005.11.04
申请人 昱京科技股份有限公司 发明人 潘正友
分类号 H02H3/08 主分类号 H02H3/08
代理机构 代理人 吴修闸 台北市中山区松江路51号5楼之1
主权项 1.一种过电流保护器,可提供一直流电源通过,并侦 测该直流电源之一电流値,该过电流保护器包括有 : 一铁心,该铁心之二侧分别具有一第一凸体与一第 二凸体,且该第一凸体与该第二凸体为相互对应, 且分别沿一第一方向以及一第二方向延伸出该铁 心; 一主线圈,其跨设于该第一凸体上,该主线圈可提 供该直流电源通过,且使得该直流电源沿该第一方 向形成相对应之一磁通密度;以及 一霍尔元件,位于该第一凸体与该第二凸体间,可 接收该主线圈所形成之磁通密度。 2.如申请专利范围第1项所述之过电流保护器,其中 该过电流保护器更包括有位于该第二凸体上之一 调整部,该调整部具有复数个线圈,以通过另一电 流沿该第二方向形成相对应之另一磁通密度。 3.如申请专利范围第1项所述之过电流保护器,其中 该铁心为一体成型制作。 4.如申请专利范围第1项所述之过电流保护器,其中 该铁心具有高导磁率。 5.如申请专利范围第1项所述之过电流保护器,其中 该主线圈为铜及其合金所制成。 6.一种过电流保护器,可提供一直流电源通过,并侦 测该直流电源之一电流値,该过电流保护器包括有 : 至少一铁心,该铁心之一侧具有一凸体,该凸体沿 一方向延伸出该铁心; 一主线圈,其跨设于该凸体上,该主线圈可提供该 直流电源通过,且使得该直流电源沿该方向形成相 对应之一磁通密度;以及 一霍尔元件,与该凸体相对应,且距该凸体一间距, 可接收该主线圈所形成之磁通密度。 7.如申请专利范围第6项所述之过电流保护器,其中 该过电流保护器更包括有相对应该凸体之一调整 部,该调整部具有复数个线圈,该调整部可通过另 一电流沿该对应该主线圈形成另一磁通密度。 8.如申请专利范围第7项所述之过电流保护器,其中 该主线圈位于一第一铁心上,且该调整部位于一第 二铁心上。 9.如申请专利范围第1项所述之过电流保护器,其中 该主线圈为铜及其合金所制成。 图式简单说明: 第1图为习用并联电压取样电路示意图。 第2图为习用提高输入阻抗电压取样电路示意图。 第3图为习用串联压降取样电路示意图。 第4图为习用霍尔元件结构及作动电路示意图。 第5图为本创作过电流保护器第一较佳实施例立体 结构示意图。 第6图为本创作过电流保护器第二较佳实施例立体 结构示意图。
地址 桃园县桃园市民生路237号3楼