薄膜半导体装置之制造方法及薄膜半导体装置

摘要

本发明之目的在于提供一种薄膜电晶体之制造方法及薄膜电晶体，其即使于进行水蒸气退火之半导体薄膜处理之情形时，亦可不取决于导电型与否而确保临限值电压。于基板31上形成TFT40、43，并以覆盖该等之状态形成层间绝缘膜44，该层间绝缘膜至少于构成最下层之膜中未含有羟基。其后，藉由于水分环境中进行热处理而于构成TFT40、43之半导体薄膜34之悬键，使氧或氢键结，并实现层间绝缘膜44之精细化。层间绝缘膜44含有例如氮化矽。