| 发明名称 | 基片处理设备的清洁基片及其优选的耐热性树脂 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种基片处理设备的清洁基片，其包含清洁层，所述清洁层包括位于基片的至少一个表面上的且在20℃～150℃下存储模量(1Hz)为5×10<SUP>7</SUP>Pa至1×10<SUP>9</SUP>Pa的耐热性树脂；并且提供了一种适合用于清洁层的并可以用于涉及由于硅氧烷杂质而可能产生严重缺陷的应用，例如HDD应用和一些半导体应用中的耐热性树脂的聚酰亚胺树脂。 | ||
| 申请公布号 | CN1778830A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200510124931.3 | 申请日期 | 2005.10.19 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 寺田好夫;藤井弘文;并河亮;宇圆田大介;天野康弘 |
| 分类号 | C08G73/10(2006.01);C09D179/08(2006.01);H01L21/312(2006.01) | 主分类号 | C08G73/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种基片处理设备的清洁基片，其中包括：基片，和包含位于基片的至少一个表面上的且在20℃～150℃下存储模量(1Hz)为5×107Pa至1×109Pa的耐热性树脂的清洁层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||