| 发明名称 | 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用应变调制掺杂法制备P型氧化锌(ZnO)半导体薄膜材料的方法。该方法是利用氧化锌和氧化镁锌两者的压电激化效应和两者之间的晶格失配，在氧化锌和氧化镁锌超晶格之中调制掺入P型杂质并退火。利用氧化锌和氧化镁锌之间的应变以及由应变造成的极化电场，加强P型杂质的离化并实现氧化锌的P型导电。本发明方法克服了氧化锌中P型掺杂元素电离能高和溶解度小所带来的不易实现氧化锌(ZnO)的P型掺杂的困难，制备出高质量的P型氧化锌(ZnO)薄膜材料，提供了一种新的做激光器件的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1779913A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200410009856.1 | 申请日期 | 2004.11.25 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘祥林;赵凤瑗;焦春美;于英仪 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/24(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/22(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法，其特征是：将P型掺杂原子掺杂于氧化锌到氧化镁锌的界面处，即应变极化电场所产生的正极化电荷积聚处，然后进行退火处理。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||