发明名称 |
半导体激光器件及其制造方法以及光盘再现和记录设备 |
摘要 |
在于650℃的生长温度下,层叠多重应变量子阱有源层105的GaAsP构成垒层后,立即层叠AlGaAs构成的第二上导向层126。在温度保持在适合P基层生长的生长温度下,即650℃下生长该第二上导向层126。通过减少来自垒层的P解吸,使垒层与第二上导向层126之间的界面粗糙度减小到20或小于20。然后层叠第一上导向层106。该第一上导向层106的生长温度在开始时是650℃,该生长温度随着生长而升高,直到生长结束时温度达到750℃为止。 |
申请公布号 |
CN1257585C |
申请公布日期 |
2006.05.24 |
申请号 |
CN02161130.0 |
申请日期 |
2002.12.18 |
申请人 |
夏普公司 |
发明人 |
蛭川秀一 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01);G11B7/00(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种半导体激光器件,包括依次在GaAs衬底上的至少:第一导电类型的下盖层、下导向层、由至少一层阱层和至少两层垒层构成的量子阱有源层、上导向层和第二导电类型的上盖层,其中量子阱有源层是由含有作为V族元素的P的III族和V族化合物半导体构成的P基层,并且与该P基层邻近的层是由不含P但含As作为V族元素的III族和V族化合物半导体构成的As基层,以及该P基层与As基层之间的界面的粗糙度不大于20。 |
地址 |
日本大阪府 |