| 发明名称 | 减少晶片划片区中的金属 | ||
| 摘要 | 一种用于从半导体晶片(101)的划片区(103)去除金属的工艺。去除的金属可以包括在划片区的切削路径(111)中暴露的金属和划片区的止裂沟槽中的金属。在一个实施例中，通过湿法腐蚀晶片，从划片区去除铜。在一个实施例中，在去除了在晶片表面上暴露的阻挡粘接层(203)之后，实施湿法腐蚀。去除切削路径(111)中的金属可以减少在对晶片的管芯区(1007)进行单片分割期间在划片刀(903)上聚集的金属量。 | ||
| 申请公布号 | CN1777978A | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
| 申请号 | CN200480002915.0 | 申请日期 | 2004.01.23 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 斯科特·K·波兹德;特伦特·S·尤林;拉克希米·N·拉马纳坦 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01) | 主分类号 | H01L21/301(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体管芯的方法，其包括：提供晶片，所述晶片包括衬底和叠层，所述叠层包括具有位于所述衬底之上的互连金属的多层，所述叠层包括在分隔多个管芯的划片区之中的切削路径的部分表面处暴露的金属，所述暴露的金属中的一些扩散进入所述多层中；选择性地形成位于所述叠层之上的介质钝化层；以及将在所述划片区的切削路径中的暴露的金属至少去除至第一深度，以便在所述切削路径中形成凹陷区。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||