| 发明名称 | 改善高分子复合导电材料导电性的加工方法 | ||
| 摘要 | 改善高分子复合导电材料导电性的加工方法，其特点是对采用挤出、注射、压延、层压等现有的成型方法制造的高分子复合导电材料进行热处理，热处理温度高于复合材料基材的熔点或粘流温度，但低于基材的分解温度，热处理时间10分钟至48小时，冷却至基材的热变形温度以下，冷却速度0.1～25℃/分钟，或者在上述成型加工中，使模具温度高于复合材料基材的熔点或粘流温度，低于基材的分解温度，材料在模具内的停留时间为3分钟至2小时，冷却至基材的热变形温度以下，冷却速度0.1～25℃/分钟。 | ||
| 申请公布号 | CN1256233C | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN02113460.X | 申请日期 | 2002.03.14 |
| 申请人 | 四川大学 | 发明人 | 王勇;黄锐 |
| 分类号 | B29C71/02(2006.01) | 主分类号 | B29C71/02(2006.01) |
| 代理机构 | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人 | 邓继轩 |
| 主权项 | 1、改善高分子复合导电材料导电性的加工方法，其特征是对采用挤出、注射、压延和层压现有的成型方法制造的高分子复合导电材料进行热处理，热处理温度高于复合材料基材的熔点或粘流温度，低于基材的分解温度，热处理时间25分钟至1小时，缓冷至基材的热变形温度以下，冷却速度1～10℃/分钟，或者在上述成型加工中，使模具温度高于复合材料基材的熔点或粘流温度，低于基材的分解温度，材料在模具内的停留时间为3分钟至2小时，冷却至基材的热变形温度以下，冷却速度1～10℃/分钟。 | ||
| 地址 | 610065四川省成都市磨子桥 | ||