| 发明名称 | 磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法 | ||
| 摘要 | 一种磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法，包括如下步骤：步骤1：以锑化镓单晶片为衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：将纯镓、纯锰按比例放在石英容器中，在真空高温环境中合成镓锰合金；步骤4：将纯镓、镓锰合金和锑化镓晶体按比例放入生长容器中，在外延炉中经充分溶解混合后，进行过冷外延生长；步骤5：生长容器中的生长母液为镓、锰、锑；步骤6：在GaSb单晶片衬底上直接生长镓锰锑外延层，或先在衬底上生长缓冲层，然后再生长外延层；步骤7：在衬底上生长镓锰锑单层结构，或生长多层结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1772973A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200410094647.1 | 申请日期 | 2004.11.11 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈晨龙;陈诺夫;吴金良 |
| 分类号 | C30B19/00(2006.01) | 主分类号 | C30B19/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以锑化镓单晶片为衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：将纯镓、纯锰按比例放在石英容器中，在真空高温环境中合成镓锰合金；步骤4：将纯镓、镓锰合金和锑化镓晶体按比例放入生长容器中，在外延炉中经充分溶解混合后，进行过冷外延生长；步骤5：生长容器中的生长母液为镓、锰、锑；步骤6：在GaSb单晶片衬底上直接生长镓锰锑外延层，或先在衬底上生长缓冲层，然后再生长外延层；步骤7：在衬底上生长镓锰锑单层结构，或生长多层结构。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||