发明名称 |
与非型闪存器件的擦除确认方法及其与非型闪存器件 |
摘要 |
一种NAND型闪存器件的擦除确认方法及其NAND型闪存器件,其中擦除确认操作通过施加正电压作为源极电压而被执行。考虑到由于各种因素而转变的擦除单元的临界电压的变化宽度,擦除单元的负临界电压可被稳定地确认。由此,甚至当擦除单元的临界电压由于后续程序操作中的干扰而转变时,失效单元的数目可被减低。 |
申请公布号 |
CN1773629A |
申请公布日期 |
2006.05.17 |
申请号 |
CN200510088151.8 |
申请日期 |
2005.07.29 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
李熙烈 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01);G11C16/14(2006.01);H01L27/115(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
黄小临;王志森 |
主权项 |
1.一种擦除确认方法,包括:提供一种NAND型闪存器件,其包括:多个存储单元,所述多个存储单元彼此串连且通过字线被选择;第一晶体管,用以连接于位线与多个存储单元的第一存储单元之间;和第二晶体管,其连接于源极端和多个存储单元的最后存储单元之间;和施加0V至该字线且施加正电压至位线与源极端。 |
地址 |
韩国京畿道 |