发明名称 与非型闪存器件的擦除确认方法及其与非型闪存器件
摘要 一种NAND型闪存器件的擦除确认方法及其NAND型闪存器件,其中擦除确认操作通过施加正电压作为源极电压而被执行。考虑到由于各种因素而转变的擦除单元的临界电压的变化宽度,擦除单元的负临界电压可被稳定地确认。由此,甚至当擦除单元的临界电压由于后续程序操作中的干扰而转变时,失效单元的数目可被减低。
申请公布号 CN1773629A 申请公布日期 2006.05.17
申请号 CN200510088151.8 申请日期 2005.07.29
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 李熙烈
分类号 G11C16/06(2006.01);G11C16/14(2006.01);H01L27/115(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 黄小临;王志森
主权项 1.一种擦除确认方法,包括:提供一种NAND型闪存器件,其包括:多个存储单元,所述多个存储单元彼此串连且通过字线被选择;第一晶体管,用以连接于位线与多个存储单元的第一存储单元之间;和第二晶体管,其连接于源极端和多个存储单元的最后存储单元之间;和施加0V至该字线且施加正电压至位线与源极端。
地址 韩国京畿道
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