半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，沟道层通过进行杂质的离子注入及扩散形成，在形成沟道层后，进行栅极氧化膜形成等高温的热处理工序，故产生了杂质浓度分布深，且由于硼的耗尽使杂质浓度分布产生偏差的问题。本发明中，在形成槽、栅极氧化膜及栅极电极后，通过进行加速电压不同的高加速离子注入，形成沟道层。沟道层是不进行基于热处理的扩散的杂质注入层，通过由高加速离子注入机进行多次的离子注入，可使槽深度方向的杂质浓度大致均匀。可降低对特性没有影响的第二区域，因此，得到所需最小限度的深度的沟道层。由此，可使槽较浅，谋求低电容化，可通过减薄外延层，实现低导通电阻化。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，包括：漏极区域，其在一导电型半导体衬底上层积一导电型半导体层而构成；反向导电型沟道层，其从所述半导体层表面设置大致均匀的深度；槽，其设于所述漏极区域；绝缘膜，其至少设于所述槽内壁；栅极电极，其埋设于所述槽内；一导电型源极区域，其设于与所述槽邻接的所述半导体层表面，所述沟道层具有从和所述源极区域的边界到杂质浓度分布的平均投影射程的深度的第一区域、和在该第一区域下方杂质浓度分布的浓度倾斜度小的第二区域，该第二区域的深度等于或小于0.5μm。