| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中通过减少光刻处理的次数减少了制造成本，并通过解决滤色器层与微透镜之间的对准问题提高了成品率。在一个实施例中，该CMOS图像传感器包括：衬底层，其具有单位像素(例如，光电二极管和各种晶体管)；平面层，位于衬底层上；以及多个微透镜滤色器结构，其以恒定间距形成于平面层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1773713A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200510108081.8 | 申请日期 | 2005.09.29 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 金荣实 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：衬底层，其包括光电二极管和多个晶体管；平面层，位于所示衬底层上；以及微透镜滤色器结构，其位于所述平面层上，以基本恒定的间距隔开。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||